A respeito das características dos transistores MOSFET, analise as afirmativas a seguir. I. São dispositivos controlados por tensão. II. Podem ser do tipo depleção e intensificação, tanto com canal tipo n quanto com tipo p. III. Obedecem a equação de Shockley, sendo do tipo intensificação. Está correto o que se apresenta em
- A)I, somente.
A alternativa admite apenas a afirmativa I, que está correta porque o MOSFET é um dispositivo controlado por tensão: a corrente de dreno é modulada pela tensão aplicada ao gate, isolado pelo óxido, com corrente de entrada praticamente nula. O problema é que a afirmativa II também é verdadeira, pois existem MOSFETs de depleção e de intensificação, em canal n e em canal p, então a resposta fica incompleta.
- B)II, somente.
Aqui se afirma apenas a proposição II, isto é, que há MOSFETs de depleção e de intensificação, tanto de canal n quanto de canal p. Essa descrição procede, porque a família MOSFET abrange essas quatro combinações de estrutura e modo de operação. O erro é ignorar a afirmativa I, que também é verdadeira, já que o MOSFET é comandado pela tensão no gate, e não por corrente.
- C)III, somente.
Esta alternativa toma como verdadeira somente a afirmativa III, mas ela não corresponde ao comportamento típico dos MOSFETs. A equação de Shockley é clássica para o JFET e para certas descrições de dispositivos de depleção, enquanto o MOSFET é tratado com modelo baseado em tensão de limiar e, em saturação, lei quadrática em função de VGS. Por isso, a proposição III é a que compromete a alternativa.
- D)I e II, somente.
A opção reúne as afirmativas I e II, que são as duas corretas no contexto dos MOSFETs. Eles são dispositivos controlados por tensão, devido ao gate isolado, e podem existir nas versões de depleção e de intensificação, com canais n ou p. A afirmativa III é deixada de fora porque a equação de Shockley não é a formulação típica para MOSFET.
- E)II e III, somente.
Esta alternativa combina as afirmativas II e III. Embora a II esteja correta ao mencionar as versões de depleção e de intensificação, em canal n e p, a III está errada porque atribui ao MOSFET a equação de Shockley, que é associada ao JFET, não ao MOSFET. Além disso, a afirmativa I também é verdadeira, de modo que a resposta exclui um item correto e inclui um item incorreto.
Gabarito: D
O MOSFET é o transistor de efeito de campo mais cobrado em prova porque mistura simplicidade de uso com algumas pegadinhas clássicas. A ideia central é que ele é um dispositivo controlado por tensão: a tensão aplicada no gate cria um campo elétrico que modula a condução entre dreno e fonte, com corrente de gate praticamente nula. Por isso, a afirmativa I está correta. Outra característica importante é que o MOSFET pode aparecer em versões de depleção e de intensificação, e cada uma delas pode ser do tipo canal n ou canal p. Em linguagem de prova, isso significa que a estrutura do dispositivo admite essas combinações. Então a afirmativa II também está correta. Já a afirmativa III escorrega. A equação de Shockley é a clássica dos JFETs e de alguns modelos simplificados, não a descrição típica dos MOSFETs de intensificação. Em MOSFET, o comportamento é tratado por relações próprias, com corrente dependente principalmente de VGS e da região de operação. Logo, III está errada. Assim, o gabarito é D, porque somente I e II estão corretas. Em resumo: MOSFET gosta de tensão no gate, pode ser n ou p, depleção ou intensificação, mas não confunda seu modelo com a equação de Shockley, que é outra novela da eletrônica.